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国内GaN GaN研究开发的突破性进展:12月底试产

    近日,在深圳会议展览中心举办的深圳国际电子展上,Inosseco(珠海)科技有限公司市场部副总裁参加了“2008(冬季)中国USB PD快速灌装行业峰会论坛”,分享了“8英寸GaN快速灌装应用机会”的主题演讲。“联系与挑战”。陈玉林从企业介绍、快速充电市场中的GaN机遇、高频、高效快速充电解决方案的挑战三个方面向工业工程师分享了有关GaN的相关知识。GaN是继第一代Ge、Si半导体材料和第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它在光电子、大功率器件和高频微波器件等方面具有广阔的应用前景。陈玉林透露,国内氮化镓的研究开发已取得突破性进展。三个新的GaN产品,100V,150V和650V将在2018年12月底投入试生产,并在2019年正式批量生产。目前,INOSECO拥有5种产品(40V、60V、100V等),实现小批量生产和收到订单。这些产品采用目前行业领先的8英寸Fab生产线制造。目前,INOSECO采用IDM产业链模式,第一家自行建造的8英寸晶圆厂用于支持GaN产业。公司已成功建立了覆盖研发、设计、生产、测试、销售、市场和技术支持的完整的GaN产业链。产品包括30V至650V功率器件、功率模块和射频器件。它们在5G通信、新能源汽车、智能制造、人工智能、大型数据中心等战略新兴领域具有巨大的优势和发展空间。在现场,INOSECO展示了最新的15W汽车充电器应用案例。与传统方案相比,INOSECO具有体积小、效率高、以生产GaN为开发设计的特点。除了车载充电器的应用外,氮化镓在高功率快速充电器的应用也引起了全世界的关注。高速、高频和高效率使得大功率USB PD充电器不再是笨重的砖头,体积小巧,可以实现高功率输出,比苹果原装的30W充电器更小更轻。内置式GaN充电器的输出功率为27W,苹果USB-C充电器的输出功率为30W,两者之间的功率差很小,但内置式GaN充电器的尺寸完全不同。内置的GaN充电器比苹果充电器小40%。

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发布时间:01:29:28

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    2018年12月26日,中国国家债务协会、中央债务登记结算公司和上海证券交易所共同在北京举办了“政府债务研讨会”。财政部副部长刘伟、中国人民银行副行长范一飞、国家开发银行前副行长高建等领导和专家应邀发表演讲和主旨讲话。财政部、中国人民银行、中国证监会有关部门、局和地方财政部门的有关领导应邀参加了研讨会。200多位领导、专家、执行董事代表、协会会员及有关中介参加了会议。财政部副部长刘伟在主题演讲中总结了近40年来国债市场改一搜资讯_宿州新闻网网革的发展历程和成果,指出了当前面临的挑战和市场基础设施建设的重要性,提出了实现高质量应处理好的四个关系。并指出了今后发展国债市场的四个主要目标。中国人民银行副行长樊逸飞在主题演讲中强调,要重视发展装修新闻资讯_湘西新闻网网国债,表示国债市场的跨越式发展是s5资讯中心_宁波埃美柯网各方共同努力的结果,要求国债市场的未来要有意向。并指出了政府债券市场优质发展的未来方向。国家发展银行前副行长高健在主题演讲中指出,国债的发展是改革开放和思想认识不断提高的结果,强调了发展金融债券市场的重要性,论述了金融的发展。市场,尤其是债青春期3下载_糖果 电影网券市场,要以政府债券市场的高质量发展为经济理论基础。本次研讨会的主题是“新时期的新发展和新举措——政府债券市场高质量发展研讨会”。会议的前半部分是领导人粉红色的回忆伴奏_马刺vs火箭网的演讲和嘉宾的主题齐鲁视频_雕弓网演讲。下半部分是一个论坛,主要围绕两个主题:积极财政政策下政府债务的新发展和完善地方债务市场建设。本次研讨会的宗旨是贯彻党中央、国务院的决策部署,顺应市场发展的新要求,搭建高层次的交流交流平台,凝聚各方的力量和智慧,深入探讨与发展有关的问题。发展国债市场,共同促进国债市场的优质发展。责任编辑:牛鹏飞

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